封装用IGBT测试仪价格-华科功率器件测试仪

表格12动态参数测试部分组成

序号组成部分单位数量

1可调充电电源套1

2直流电容器个8

3动态测试负载电感套1

4安全工作区测试负载电感套1

5补充充电回路限流电感L个1

6短路保护放电回路套1

7正常放电回路套1

8高压大功率开关个5

9尖峰***电容个1

10主回路正向导通晶闸管个2

11动态测试续流二极管个2

12安全工作区测试续流二极管个3

13被测器件旁路开关个1

14工控机及操作系统套1

15数据采集与处理单元套1

16机柜及其面板套1

17压接夹具及其配套系统套1

18加热装置套1

19其他辅件套1

近两年IGBT测试仪持续，封装用IGBT测试仪，新能源汽车，轨道交通，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，封装用IGBT测试仪加工，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，封装用IGBT测试仪批发，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，与的设备也可以放在一起竞争了，封装用IGBT测试仪价格，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。

3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：。解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；