7、测量配置
7.1 示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;
7.2 高速电流探头;
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon ,大功率IGBT测试仪价格, Pon );
8.2 关断:turn off (tdoff , tf ,大功率IGBT测试仪, Eoff , Ic ,大功率IGBT测试仪加工, Poff);
8.3 反向*** (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);
8.4 栅电荷:采用恒流驱动,电流可调范围:0~100mA;
8.5 短路(1200Amax);
8.6 雪崩;
8.7 NTC(模块)测试:0-20KΩ;
8.8 主要测试参数精度偏差 :< 3 % 。
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
大功率半导体器件为何有老化的问题?
任何产品都有设计使用寿命,同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护,延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。功率元件由于经常有大电流往复的冲击,对半导体结构均具有一定的耗损性及***性,若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘,更会加速元件的老化程度,故元件老化,就如人的老化一样是不可避免的问题。
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