IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，变频器用IGBT测试仪厂家，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，变频器用IGBT测试仪，电子版一份；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，变频器用IGBT测试仪现货供应，另一份技术资料可以是英文或中文。7测试夹具 1、控制方式：气动控制 2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1。
华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
5、***负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；
6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；
6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；
6.5 电压开关时间： < 50ns；
6.6 输出内阻： < 0.5Ω；
变频器用IGBT测试仪-华科便携式测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。
