纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，碳化硅颗粒规格，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC（称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用好的石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。
虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，而另一种碳化硅，μ-碳化硅非常的稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至今日，这两种型态尚未有商业上之应用。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °C） ，碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，河南碳化硅颗粒，且具有相当低的化学活性。
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，碳化硅颗粒批发，制作芯片的材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
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