




含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。***显影后,PR1 1500A1光刻胶价格,利用氧等离子体刻蚀,PR1 1500A1光刻胶公司,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,PR1 1500A1光刻胶报价,例如硅氧烷,含Si的树脂等

光刻胶介绍
光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
从技术水平来看,在PCB领域,国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力,PR1 1500A1光刻胶,已经实现对主流厂商大批量供货。
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光刻胶的作用
光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂,是以智能
管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和
正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类
2、正性光刻胶
主要以重氮醒为感光化台物,以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
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