




光刻胶组分及功能
光引发剂
光引发剂吸收光能(辐射能)后经激发生成活性中间体,并进一步引发聚合反应或其他化学反应,是光刻胶的关键组分,对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。
树脂
光刻胶的基本骨架,是其中占比较大的组分,NR9 3000P光刻胶,主要决定***后光刻胶的基本性能,包括硬度、柔韧性、附着力、***前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。
溶剂
溶解各组分,是后续聚合反应的介质,另外可调节成膜。
单体
含有可聚合官能团的小分子,也称之为活性稀释剂,一般参加光固化反应,可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。








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三、光刻胶涂覆(Photoresist Coating)
光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前,NR9 3000P光刻胶哪里有,先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程,一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物,即通常所说的光刻胶,要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面,(由真空负压将样品固定在样品台上),样品然后高速旋转,转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下,NR9 3000P光刻胶多少钱,胶在离心力的作用下向边缘流动。
涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间,同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。
光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间,而对于特殊微结构制造,胶厚度有时希望1cm量级。在后者,旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等,这些因素的稳定性很重要。
在工艺发展的早期,负胶一直在光刻工艺中占主导地位,随着VLSI IC和2~5微米图形尺寸的出现,负胶已不能满足要求。随后出现了正胶,但正胶的缺点是粘结能力差。
用正胶需要改变掩膜版的极性,这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合,在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的,NR9 3000P光刻胶厂家,由于光在图形周围的衍射效应,使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%,市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的材料。2016年半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元,分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸***技术节点生产线的兴建和多次***工艺的大量应用,193nm及其它***光刻胶的需求量将快速增加
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