




光刻胶的参数是什么?
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的技术参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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光刻胶介绍
光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
从技术水平来看,在PCB领域,国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力,已经实现对主流厂商大批量供货。
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光刻胶相关知识
光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示,wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心,离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它后期的厚度,溶剂很快就蒸发掉了,wafer上就留下了一薄层光刻胶。然后通过烘焙去掉后面剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感,特别是紫外(UV)线。相对来说他们仍旧对其他波长的,NR9 1500P光刻胶哪家好,包括红,橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
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