




光刻胶的未来市场
光刻胶市场需求逐年增加,2018年半导体光刻胶销售额12.97亿美元,而国内光刻胶需求量方面,2011年光刻胶需求量为3.51万吨,到2017年需求量为7.99万吨,四川光刻胶,年复合增长率达14.69%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于中国大陆光刻胶市场起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品,TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。
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正性光刻胶的结构
光学光刻胶通常包含以下三种成分:(1)聚合物材料(也称为树脂)。聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应,其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性,同时也决定着光刻胶薄膜的其他一些特性(如光刻胶的膜厚要求、弹性要求和热稳定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般为复合性物质(简称PAC或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未***区域起***溶解的作用,可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。以正性胶为例,使用g射线和i射线光刻中的正性胶是由重氮醌(简称为DQ)感光剂和酚树脂构成。(3)溶剂(如丙二醇-,PGME)。溶剂的作用是使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持为液态
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光刻胶的概述
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过***后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,光刻胶哪里有,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过***后,光刻胶多少钱,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率(即光刻工艺中所能形成图形)不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。

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