①发热元器件应置放在有利于热管散热的部位，比如PCB的边沿，并微控制器集成ic;
②的高频率元器件应紧挨着置放，以减少她们中间的联线;
③光敏电阻器应远离数字时钟产生器、震荡器等噪音源;
④电阻器、可调式电感、可变电容器、轻触开关等可调式元器件的合理布局应合乎整个设备的构造要求，便捷调整;
⑤品质偏重的元器件应选用支撑架固定不动;
⑥EMI过滤器应挨近EMI源置放。
MKP是一种金属化聚薄膜电容器，具有低损耗，无感结构和自愈击穿的特点。 适用于高压，大电流和高脉冲强度电路。 CBB电容器也称为聚电容器。 电容为10p-10μ，额定电压为63--2000V。 无极性，高绝缘电阻，出色的频率特性和低介电损耗。
使用上的区别：MKP电容器主要用于EMI传入线路滤波，CBB电容器主要用于振荡，耦合，电阻电容电路等； CBB22的成本低于MKP，并且其电气性能可以满足实际的直流耐压条件。可以替代MKP。
陶瓷类1电容：
具有温度补偿，精q确测量电容值。各种电压和温度下的稳定性佳，损耗小；但它的体积效率是低的。经典的Class1陶瓷电容的温度系数为30ppm/°C，且温度线性较大，陶瓷电容的散逸系数约为0.15%，因此可用于滤波器。普通Class1电容的电容误差在5%到10%左右，高精度也能找到，误差在1%左右。Class1电容器高精度被标记为C0G或NP0。
