UVLED(紫外LED)由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN阱组成,形成的有源区为覆层。通过改变InGaN阱中InN-GaN的相对比例,发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和阱层,但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源阱层是GaN,与之相对是InGaN或AlGaN合金,则器件发射的光谱范围为350~370nm。

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