光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，NR94 8000PY光刻胶厂家，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，NR94 8000PY光刻胶公司，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，NR94 8000PY光刻胶，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，NR94 8000PY光刻胶哪家好，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
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光刻胶编码 HS编码: | 3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释] |
| 中文描述: | 不含银的感光乳液剂 （CIQ码：301:液体） |
| 英文描述: | Non--0--silver light-sensitive emulsion agent |
| 申报要素: | 0.品牌类型；1.出口享惠情况；2.用途；3.包装；4.成分；5.是否含银；6.品牌；7.型号；8.是否有感光作用（以下要素仅上海海关要求）9.GTIN；10.CAS |
| 申报要素举例: | / 1.感光剂；2.用途:感光材料，用于喷墨制版机；3.包装:瓶装；4.成分:重氮树脂94%以上；5.无品牌；6.无型号 |
| 单位: | 千克 |
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