




光刻胶的主要技术参数
1.灵敏度(Sensitivity)
灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的***剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,光刻胶供应商,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) ***系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢?
赛米莱德生产、销售光刻胶,我们为您分析该产品的以下信息。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。
光刻胶的相关信息
利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,后生成聚合物,光刻胶厂家,具有形成正像的特点。光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,光刻胶哪里有,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,江苏光刻胶,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

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