




芯片光刻的流程详解(二)
所谓光刻,根据维基百科的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,NR7 6000PY光刻胶,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
光刻胶
光增感剂
是引发助剂,NR7 6000PY光刻胶厂家,能吸收光能并转移给光引发剂,或本身不吸收光能但协同参与光化学反应,起到提高引发效率的作用。
光致产酸剂
吸收光能生成酸性物质并使***区域发生酸解反应,用于化学增幅型光刻胶。
助剂
根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。
主要技术参数
分辨率(resolution)
是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来(CD,NR7 6000PY光刻胶哪家好,CriticalDimension)衡量分辨率。










正胶PR1-2000A1技术资料
正胶PR1-2000A1是为***波长为365 或者436纳米,可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求,在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂,如HMDS。
相对于其他的光刻胶,PR1-2000A1有如下的一些额外的优势:
PEB,不需要后烘的步骤;
较高的分别率;
快速显影;
较强的线宽控制;
蚀刻后去胶效果好;
在室温下有效期长达2年。
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