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光刻胶的分类

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硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。

分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，光刻胶哪里有，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2]  。

何为光刻胶

光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种具有光化学敏***的功能性化学材料，由光引发剂、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，树脂约占50%，单体约占35%。

它被称为是电子化工材料中技术壁垒较高的材料之一，透明光刻胶哪里有，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用。

按照下游应用，光刻胶可分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB（印刷线路板）用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。

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为什么现在还有人使用负性胶

划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在***之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，双层光刻胶哪里有，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未***的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未***的区域将溶解，而***的区域被保留。正性胶的分辨力往往是较好的，因此在IC制造中的应用更为普及，但MEMS系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。

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