NR9 8000光刻胶-北京赛米莱德

2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm   胶膜厚0.5-1um， 

3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。

烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，NR9 8000光刻胶哪家好，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，NR9 8000光刻胶哪里有，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。

光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介

光刻胶具有光化学敏***，NR9 8000光刻胶厂家，其经过***、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。

光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶***，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。

光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占市场24.5%，半导体IC光刻胶占市场24.1%，NR9 8000光刻胶，LCD光刻胶占市场26.6%。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。