PCB

光刻胶

主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶（又称为抗蚀刻/线路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB 光刻胶技术壁垒相对较低，主要是中低端产品。

LCD

光刻胶

包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD 触摸屏用光刻胶、TFT-LCD 正性光刻胶等产品。

彩色滤光片是LCD

实现彩色显示的关键器件，NR21 20000P光刻胶报价，占面板成本的14%~16%；在彩色滤光片中，彩色光刻胶和黑色光刻胶是材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。

半导体光刻胶

包括g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶、聚酰YA光刻胶、掩膜板光刻胶等。

11．请教~有没有同时可以满足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，谢谢！

A 我们推荐使用Futurrex

NR1-300PY来满足以上工艺的需求。

12．Futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

A NR9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因为有很高的AR比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的Color

filter 制程，NR21 20000P光刻胶多少钱，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要Reflow， 颜色也不会老化改变，只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

A 美国Futurrex公司，专门生产应用***的，可以为平坦化的材料提供PC3-6000和P***-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE

COATING，那种适合？？

A 推荐美国Futurrex，P***-10000。

17．腊是用来固定芯片的，NR21 20000P光刻胶哪里有，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

A 我们公司是使用Futurrex

PC3-6000，可以替代的，而且去除比较容易，你可以试用下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，NR21 20000P光刻胶，如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。

负性光刻胶

    负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

    A、粘性增强负性光刻胶

    粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长***。

    粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

    i线***用粘度增强负胶系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h线***用粘度增强负胶系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长***。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。

    用于i线***的加工负胶系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。