NR9 1500PY光刻胶厂家-赛米莱德

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，NR9 1500PY光刻胶，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。

 品牌

 产地

 型号

 厚度

 ***

 应用

 加工

 特性

 Futurrex

 美国

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高温耐受

 用于i线***的负胶

 LEDOLED、

     显示器、

 MEMS、

     封装、

     生物芯片等

     金属和介电

     质上图案化，NR9 1500PY光刻胶哪家好，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    组成

    （OLED显示

     器上的间隔

     区）凸点、

     互连、空中

     连接微通道

     显影时形成光刻胶倒

     梯形结构

     厚度范围：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h线***波长

     ***

     对生产效率的影响：

     金属和介电质图案化

     时省去干法刻蚀加工

     不需要双层胶技术

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 0.7μm~2.1μm

 粘度增强

 NR9-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR71G-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高温耐受

  负胶对  g、h线波长的灵敏度

 NR71G-1500PY

 1.3μm~3.1μm

 NR71G-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR71G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 粘度增强

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR9G-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 品牌

 产地

 型号

 厚度

 耐热温度

 应用

 Futurrex

 美国

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。