NR9 8000光刻胶-北京赛米莱德公司

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，NR9 8000光刻胶哪里有，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，

但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌FUTURRE光刻胶产品属性：

1  FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:

1.1   Futurre光刻胶黏附性好，NR9 8000光刻胶多少钱，无需使用增粘剂（HMDS）

1.2  负性光刻胶常温下可保存3年

1.3  150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4  单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5  显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟

正性光刻胶的金属剥离技术

正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。

光刻胶的应用

       1975年，NR9 8000光刻胶，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。