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光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，RR41光刻胶哪家好，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。

光刻工艺主要性一

光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，RR41光刻胶价格，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。

针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，RR41光刻胶报价，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商的技术。

此外，RR41光刻胶，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与***波长、数值孔径和工艺系数相关。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。