PR1-2000A1 试验操作流程
PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；
1，静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；
2，前烘：热板120度120秒；
3，冷却至室温；
4，用波长为365，406，436的波长***，
5，在温度为20-25度，使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ；
6，去除光刻胶，PR1 2000A1光刻胶哪家好，可使用CH3COCH3，PR1 2000A1光刻胶多少钱，RR5，RR41等。
光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，PR1 2000A1光刻胶，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，PR1 2000A1光刻胶报价，是光刻胶制造商的技术。
此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与***波长、数值孔径和工艺系数相关。
正胶PR1-2000A1技术资料
正胶PR1-2000A1是为***波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，如HMDS。
相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：
PEB，不需要后烘的步骤；
较高的分别率；
快速显影；
较强的线宽控制；
蚀刻后去胶效果好；
在室温下有效期长达2年。
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