




光刻胶的参数是什么?
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的技术参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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负性光刻胶原理
又称光致抗蚀剂,是一种由感光树脂、增感剂(见光谱增料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
原理
光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物,RR41光刻胶,基态与激励态的能量差为3~6eV,相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收,使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时,或者分离或者改变键合对象,发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后,因与物质具有的电子相互作用,能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中,因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。
光刻胶分类概述
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基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,RR41光刻胶厂家,自由基再进一步引发单体聚合,然后生成聚合物,具有形成正像的特点。
②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。
③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,RR41光刻胶哪家好,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。
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