这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状***学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，张家界大功率蚀刻机，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这一部分就是必须 的电源电路构造。蚀刻加工分成二种，大功率蚀刻机机械设备，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。 
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），大功率蚀刻机生产厂家，顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction pla***a）。
1.蚀刻方法的挑选：金属材料蚀刻的方式依据工件与饱和溶液的触碰方式具体有二种，即喷洒式和浸泡式。蚀刻方法的挑选标准有下列二种。（1）总产量：喷洒式蚀刻、速度更快、高精度，合适有一定大批量的生产制造，生产便于完成机械自动化，但机器设备资金投入大，与此同时都不适合对异性朋友工件及大中型工件的蚀刻：浸泡式蚀刻机器设备付出小，蚀刻便捷，适用工件覆盖面广，但不适宜于大批的生产制造，与此同时浸泡式蚀刻较喷洒式速度比较慢，相对而言要低，生产过程不容易完成机械自动化。（2）工件形状及尺寸：针对大中型工件因为受机器设备的限定，采用喷洒式蚀刻难以开展，而浸泡式就不容易受工件尺寸的危害。工件形状繁杂，在喷洒时有一些位置会发生喷洒不上的具体情况而危害蚀刻的正常开展，而浸泡式因为是将工件全部浸泡在蚀刻液中，只需维持蚀刻液和工件中间的动态性，就能确保异性朋友工件的各种位置都能充斥着蚀刻液并开展新液与旧液的持续拆换，使蚀刻能一切正常开展。针对并不大的平面图或是几面图的工件假如情况容许，大功率蚀刻机供应商，采用喷洒式蚀刻无论是或是精密度都好于浸泡式蚀刻，因此，针对大批量大，工件尺寸适度（与机器设备相关）、形状简易的平面图形状的工件以采用喷洒式为优选；假如工件外观设计较为大无法采用蚀刻机，工件形状繁杂，大批量并不大，这时以采用浸泡式为宜。 
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