电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，天津电容，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。
半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。
高温条件下陶瓷电容器击穿机理：
半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。
潮湿对电参数恶化的影响：
空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，CBB28电容，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。
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向陶瓷电容器施加超过其额定电压的电压，CBB81电容，会导致短路故障还是开路故障
一般来说，CBB电容，向电容器施加过量电压后都会导致短路故障。片状独石陶瓷电容器的损坏电压为其额定电压的5~10倍以上，稍高于额定电压的外加电压很难对电容器造成瞬间损坏。
但在使用中如向电容器施加的电压超过其额定电压，则不在保修范围之内。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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