三酸抛光厂家-三酸抛光-昆山韩铝化学1(查看)

CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，三酸抛光工艺，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，三酸抛光剂，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

抛光时，高速旋转的抛光轮（圆周速度在20米/秒以上）压向工件，使磨料对工件表面产生滚压和微量切削，从而获得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可达Ra0.63～0.01微米;当采用非油脂性的消光抛光剂时，可对光亮表面消光以改善外观。 大批量生产轴承钢球时，常采用滚筒抛光的方法。粗抛时将大量钢球、石灰和磨料放在倾斜的罐状滚筒中，滚筒转动时，使钢球与磨料等在筒内随机地滚动碰撞以达到去除表面凸锋而减小表面粗糙度的目的，可去除0.01毫米左右的余量。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，三酸抛光，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。