






在碱性真空蚀刻机中,溶液Cu2+浓度、PH值、NH4Cl浓度、NH3-H2O浓度以及温度都会影响到蚀刻效率。掌握这些因素的影响才能有效的控制溶液,使之保持恒定的佳蚀刻状态,从而得到满意的蚀刻质量。通过我们多年的实践经验,得出以下结论,仅供参考:
Cu2+浓度对蚀刻速度的影响:在这种蚀刻液中,Cu2+是氧化剂,所以Cu2+的浓度对蚀刻机的蚀刻速度的影响占有重要因素。实际经验告诉我们,铝板奖牌腐蚀机设备,Cu2+浓度在0g/L~82.5g/L时,蚀刻速度很慢;在82.5g/L~135g/L时蚀刻速度较低,且控制困难;在135g/L~165g/L时,蚀刻速度高且溶液稳定;在165g/L~225g/L时,溶液不稳定,趋向于产生沉淀。
***近光刻机和蚀刻机一直都是当前***热的话题,可以说光刻机是芯片制造的魂,蚀刻机是芯片制造的魄,要想制造的芯片,这两个东西都必须。 这俩机器***简单的解释就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面,刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉,这样看起来似乎没什么难的,但是有一个形象的比喻,每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂,这就是这光刻和蚀刻的难度。 光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种可以被光腐蚀的胶状物质),接下来通过光线(工艺难度紫外光<深紫外光<极紫外光)透过掩膜照射到硅圆表面(类似投影),因为光刻胶的覆盖,照射到的部分被腐蚀掉,没有光照的部分被留下来,这部分便是需要的电路结构。 蚀刻分为两种,济南铝板奖牌腐蚀机,一种是干刻,一种是湿刻(目前主流),顾名思义,湿刻就是过程中有水加入,将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应,去掉不需要的部分,剩下的便是电路结构了,干刻目前还没有实现商业量产,其原理是通过等离子体代替化学溶液,去除不需要的硅圆部分。



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