三酸抛光剂-昆山韩铝化学2-嘉兴三酸抛光

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

1. 机械抛光 机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法，一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等，以手工操作为主，特殊零件如回转体表面，嘉兴三酸抛光，可使用转台等辅助工具，表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用的磨具，在含有磨料的研抛液中，三酸抛光销售，紧压在工件被加工表面上，作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各种抛光方法中的。光学镜片模具常采用这种方法。

由于铝和铝合金的易加工性能以及其表面经过处理后的高耐腐蚀性能，越来越多的铝合金制品被用于民用和工业用品中。为了提高铝合金制品的装饰性能，需要对其表面进行各种处理，其中化学抛光是一种赋于铝合金表面靓丽的处理工艺。

传统的三酸化学抛光液是由70％磷酸、20％***、10％组成。在这种抛光液中是充当一种缓蚀剂的作用，具有氧化性在使用时与铝进行反应而被还原成棕***的二氧化氮气体，二氧化氮对操作人员的呼吸系统会造成严重的伤害，同时二氧化氮也腐蚀工厂里内的机械设备。另外由于三酸抛光作业一般在100℃左右进行，三酸抛光价格，易挥发和分解，通常的消耗速度过快，三酸抛光剂，需频繁的对其含量进行分析和补加，造成铝合金工件批次间的光泽波动较大，也不利于自动线连续性操作。