热敏电阻的制造方法，负温度系数热敏电阻，其特征在于:在上述第5 工序中，于上述烧制体的两端部烧制形成以除Cu 之外的金属粉末为主成分且含有Cu 或Cu 的化合物的任一种的外部电极。
5. 如权利要求3 或4 所述的负特性热敏电阻的制造方法，其特征在于:在上述第4 工序中，具有在烧制的高温度后的冷却过程中，负温度系数热敏电阻加工，在于800~1000C 暂时停止冷却并以800-1000 oc 的温度保持60~600 分钟后、再开始冷却的工序。负特性热敏电阻及其制造方法
负温度系数热敏电阻
全威高科技-薄膜热敏电阻的制造办法，归于高科技微机电零碎(MEMS) 领域。该办法是正在硅钢片上堆积一层捐躯层；正在其上旋涂PI 预聚体，经热固化构成PI 地膜；而后旋涂光刻胶，光刻图形化后溅射所需求的非金属热敏地膜层；运用剥离的办法失去热敏地膜层图形；以后再旋涂光刻胶，光刻图形化后镀银以构成电联接非金属层；去胶后能够对于热敏电阻停止热解决；堆积一层聚对于掩护层，去除捐躯层后失去柔性地膜电阻阵列.负温度系数热敏电阻
热敏电阻31 具有负特性热敏电阻基体32 、形成在负特性热敏电阻基体32 内部的内部电极33 、和在负特性热敏电阻基体32 的两端面、以与内部电极33 相导通的方式形成的外部电极34 。
在用于内部电极33 的内部电极用材料中含有Cu ，该Cu 扩散在内部电极33 附近。从而，热敏电阻基体32 的内部的电阻率变得比热敏电阻基体32 的外表面附近低。
负温度系数热敏电阻
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