




抛光时间。要得到好的抛光效果,就需要花费一定的时间。若抛光时间太短,只能获得没有光泽的梨皮状表面。若时间过长,不仅溶解损失增大,两酸抛光工艺,而且加工表面会出现污点或斑点。因此存在着一个适当的时间范围,它受材料、抛光液的组成及抛光温度等因素的影响,通常难以预测,除用实验测定外,没有其他方法。化学抛光中往往产生氢气,这是抛光具有氢脆敏***材料时必须注意的问题。另外,抛光液温度高达100~200℃时,还会产生退火作用。为了把氢脆和退火作用的影响减小到,就必须在适宜的温度范围内选择尽可能短的抛光时间。
多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分,配合高分散性配方,可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液(CMP抛光液)是以高纯硅粉为原料,南通两酸抛光,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟,精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,两酸抛光厂家,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,两酸抛光剂,但却都是局部平面化技术,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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