蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。它可通过***制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。
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蚀刻工艺用以微生产加工中，以在生产制造全过程中从圆晶表层有机化学除去层。蚀刻工艺是尤为重要的加工工艺控制模块，每一芯片在进行以前必须历经很多蚀刻工艺流程。针对很多蚀刻工艺流程，根据抵御蚀刻工艺的“掩膜”原材料来维护芯片的一部分不会受到蚀刻工艺剂的浸蚀。在一些状况下，掩模原材料是早已应用光刻法图案化的光刻胶。别的状况必须更的掩模，比如氮化硅。
透明导电膜在高透光下同时具有导电性，是光电领域中不可或缺的重要工业基础材料。随着光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、低成本方向发展，对高性的柔性及可拉伸透明导电膜的需求增长迅速。当前广泛使用的透明导电材料主要为ITO膜或玻璃，但因方阻较高、脆性结构限制了其在柔性光电器件上的使用；而新发展的基于导电聚合物、碳材料和金属纳米材料的柔性透明导电膜，普遍存在导电性和透过率相互制约的问题，蚀刻加工价格，在85%以上的透过率下方阻通常在数十欧每方块以上。基于铜箔黄光制程蚀刻的金属网格透明导电膜具有高导高透的优点受到了行业广泛关注，但工艺复杂，蚀刻加工公司，酸蚀刻工艺与铜离子造成的污染及其高成本也不容忽视。
中国学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员崔铮的印刷电子研究团队自主研发了印刷增材制造的嵌入式银网格透明导电膜，透过率和导电性可以***调节，在85%以上透过率下方阻低于10Ω/□，不锈钢蚀刻加工，已成功应用在触摸屏上并实现了产业化，曾荣获2014年中国金奖。为进一步推广印刷金属网格透明导电膜在透明导磁屏蔽、电加热膜、透明5G天线等更广领域的应用，如何进一步在高透过率下大幅度提升导电膜的导电性能成为团队的重要研究目标。近日，苏州纳米所印刷电子中心苏文明团队基于混合式印刷增材制造技术，优化压印模具结构参数，实现了2：1深宽比和4μm线宽的凹槽结构，再结合刮填薄层纳米银油墨的种子层，用电筹沉铜技术在凹槽中填满致密的铜。由于电沉积过程金属铜完全限制在凹槽中只能单向生长，避免了扩线，从而获得高深宽比的铜网格，因而在不影响光透过率的情况下增加了金属网格的厚度，山西蚀刻加工，同时电镀的网格具有铜本征的高电导，在86%的高透光率下，方块电阻低至0.03Ω/□，FOM值超过80000，达际领水平（FOM是透明导电膜的综合质量因素，指光透过与方阻的比值，如ITO的FOM<300）。
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