SFN能帮助晶圆厂能，线上下单电子元器件一级供应商，将半导体生产时间缩短为原来的十分之一
Summerland 总结道：“我们知道 CMOS 技术的发展之路至少会延伸到 2036 年，器件几何尺寸将降至 2 埃。重要的是要了解 CMOS 是逻辑，而 MOS 是晶体管。甚至 CFETS 也是堆叠的 nMOS 和 pMOS。Bizen/ZTL 是向前迈出的一大步，将使其他复杂的方法变得多余。Zpolar 晶体管不再依赖 CMOS 的单极结构，而是利用固有的触发输入和小化的垂直尺寸。我们相信‘Time Machine 是对 Bizen 晶圆工艺、Zpolar 晶体管和 Zpolar Tunnel Logic (ZTL) 复合组合的佳描述：使用这项技术，保证交期电子元器件一级供应商，IC 设计人员可以将制造能力倒退 10 年，然后再前进 10 年——或更多——在性能方面，使用他们创建的 ZTL 设备。半导体 短缺危机，同时消除了我们对外国势力及其道路的依赖。我们要去的地方，我们不需要道路。”
#Diodes的MOSFET由于对车辆的高需求而广受欢迎
??1、DMG/DMN/DMP/DMC系列，交货期为74-104周。
??阿拉伯数字。#MOSFET的交货时间现已延长至100周以上。
#LED前照灯驱动和#power管理（如#DMP??系列和#AP??系列）的基本短缺和价格上涨非常严重。
????原厂的产能基本分配给汽车和电源管理#products，间接导致分立元件等单价产品正常供应失败。虽然传统的分立#components非常便宜，但断开元件的价格却高出数倍。
随着市场供求关系的变化，价格波动也非常大，??我们可以更加关注这些常用的材料。
设备和系统光刻路线图的国际路线图
“背景：半导体芯片性能的计划改进在历推动了光刻技术的改进，预计这将在未来继续。国际设备和系统路线图路线图有助于行业规划未来。
目标：2021 年光刻路线图显示了未来 15 年的要求、可能的选择和挑战。
结果：逻辑芯片的临界尺寸现在足够小，以至于随机因素，即光子、分子和光刻胶成像过程中的随机变化，会引入尺寸的随机变化和随机驱动的缺陷。随着临界尺寸变得更小，随机指标成为更大的挑战。该路线图预计，尽管在工具、光刻胶、器件设计和图案化工艺方面预计会有所改进，但在未来 10 年内，印刷抗蚀剂的剂量仍需大约增加三倍，以保持可接受的随机性，除非对工艺或芯片设计进行重大更改。这将大大提高图案化成本。其他图案化选项正在开发中，但它们也面临与缺陷相关的挑战。边缘放置错误 (EPE) 也是未来设备面临的挑战。长期，
结论：逻辑器件将推动前沿光刻技术。改进的极紫外光刻是主要候选方案，重庆电子元器件一级供应商，但其他选择也是可能的。关键的短期挑战是随机指标、EPE 和成本。除非出现实质性的工艺创新，30天质保期电子元器件一级供应商，否则随着关键尺寸的缩小，预计印刷抗蚀剂的剂量将大幅增加。从长远来看，当逻辑设备切换到 3D 缩放时，挑战将是良率和工艺复杂性。”
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