碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，炼钢复合脱氧剂供应商，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 根据数据显示，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，湖南复合脱氧剂，碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术，以应用于具体且具有发展前景的项目。
含有CaO作为主要成分的辅助原料、含硅物质中的至少一种的添加量，使脱硅处理结束时的炉渣碱度(质量％ CaO/质量％ SiO2)在0.5以上、1.0以下；调整上述氧源的供给量，将脱硅处理结束时的铁水温度调整至1320°C以上；相对于装入上述转炉型精炼容器内的铁水与冷铁源的合计质量，使装入或在脱硅处理时添加到该转炉型精炼容器内的含硅物质的65碳化硅非氧化硅的合计量在4~10kg/t的范围；
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