碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，复合脱氧剂报价，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 根据数据显示，精炼炉复合脱氧剂，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术，以应用于具体且具有发展前景的项目。
碳化硅颗粒可根据客户需要定制0-1mm、1-3mm、3-5 mm颗粒。碳化硅砂、分段砂和数砂、碳化硅模型也可根据其对象数目加以区分，一般为8目-320目，模型越大，粒度越细，大于320#通常称为碳化硅粉末。碳化硅砂级主要以物体(微粉)和毫米(颗粒)的数量来区分。喷砂磨削主要依靠喷砂机进行加工处理：通过改变不同粒度的磨料涂层，工件粘合预处理喷砂可以去除工件表面的所有污垢，如锈蚀皮，并在工件表面建立一个非常重要的基本模式(俗称羊毛表面)。
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