注意事项1、 抛光时必须坚持“宁可慢，不可快，宁轻，勿重”的原 则，避免抛漆。2、 把电线背起来，安庆三酸抛光，以免伤人、伤机、缠线，严禁电线接触。3、 抛光蜡可先倒在漆面上均匀分散，防止漆面飞溅。4、 漆面抛光前建议先用洗车泥擦拭，去除油漆表面附着的表层颗粒和污染物。5、 抛前机盖时，用大毛巾或者是遮蔽膜盖住前挡玻璃，避免抛光蜡沾在玻璃密封条与雨刮器上难以擦除。6、 抛光蜡均匀涂在羊毛盘或海绵盘上，防止飞溅、浪费材料。7、 使用完毕后正确放置机器，两手柄支地，毛轮朝上。
上述两种抛光作用是不同的，三酸抛光价格，以钢在磷酸型抛光液中的抛光为例说明。在抛光过程中钢的电极电位和溶解速度随浓度的变化情况如图4-2所示。即随着浓度的增加，钢材的电极电位也逐渐提高，三酸抛光剂，同时溶解速度随之减小。钢的平滑化是由低电位区域的溶解作用形成的，而光泽化则是由高电位区域的溶解作用形成的。钢表面电位的升高是由表面形成的一些稳定的氧化膜固体所致，正是由于这种稳定氧化膜的形成，使零件光泽化。而平滑化可能是由金属离子或溶解生成物的扩散层导致的。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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