




逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为
自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来,为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是,在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢?迄今为止,屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM) 方面不断改进,加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步,使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而,在某些情况下,下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为。
在中压应用中,英飞凌的 OptiMOS 能够提供业界更佳的品质因数。开关电源(***PS)、逆变器和电池供电马达等需要100~200V MOSFET 的应用已经在使用这些高频优化器件。然而,随着人工智能 (AI) 协处理器等需要巨大电流的边缘运算应用越来越广泛,对提升电源供电效率和瞬态负载响应能力提出了要求。CoolGaN可提供明显优于任何同类中压硅器件的 FoM以及零反向***电荷,这使其成为半桥电路的选择。由于其晶体平面生长特性,使封装能够实现采用顶部散热的创新机制。在 54V 输入/12V 输出的变换器中,基于 CoolGaN 的设计可提供 15A 电流,在500 kHz 开关频率时达到超过 96.5% 的峰值效率。这比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz开关频率下效率提高了1%。
总体而言,CoolGaN 和 CoolSiC 都能够提供更好的 FoM,并且可实现比同类硅器件更高的效率。但是,这些并不是需要考虑的因素,价格同样很重要,快速比价TE原装现货促销促销价格,采用新技术带来的相关风险也是如此。GaN 和 SiC 都具有不同的驱动和工作特性,为了充分发挥这些技术的潜力,可能还需要新的拓扑架构或控制技术。
IC 基板的金属化实现可靠
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电子元件 ESD防静电从四个方面进行控制
ESD是所有电子元件或集成电路系统所引起的过度电应力***的主要原因。由于静电通常瞬时电压很高,可达数千伏,因此,这种***是毁灭性的且的,网站TE原装现货促销促销价格,会直接导致电路烧坏。因此防止静电损伤是所有 IC设计与制造中的头号难题。
一般而言,线上下单TE原装现货促销促销价格, ESD防护主要从四个方向进行控制。
操作者:人类是静电来源。人行走、工作时都会产生静电,接触或接近微电子设备时,都可能发生静电放电。降低人员因素,必须穿防静电服装、戴防静电手套、戴防静电手环/脚环和可靠接地。
自动装置:生产车间的自动化设备会产生大量静电,上海TE原装现货促销促销价格,尤其是在微电子器件加工中,静电会导致大量的微电子器件失效。因此设备、仪器、工作台、凳子、货架等都要做可靠的接地。
材质:使用抗静电/导静电材料制作的工作台面、包装盒、包装袋等。
周围环境:静电剂的产生与环境湿度成正比,即湿度越大,产生的静电越少。但是湿度大的环境易引起锈蚀、腐蚀,综合考虑,一般电子生产车间湿度保持在30%-70% RH。此外,离子风扇也可用于中和静电荷。
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