低本底的性能介绍
低本底测量仪有多独立的主探测器，可同时测多个样品，分别给出多个样品中的总α、总β活度浓度测量。
仪器须经***计量部门严格检定，四路低本底生产厂家，全部性能指标应符合***规定Ⅱ级以上标准的要求。每次可单独测量一个样品中α或β，或αβ同时测量。
探测器采用低噪声光电倍增管和蓝光塑闪组成，降低自吸收，单路低本底生产厂家，大限度提升探测效率；不怕污染、表面可以擦洗、。
测量时间、探测器的阈值和高压都可根据要求通过计算机系统自动调节，非机械旋钮控制，减小操作误差，降低实验人员工作量。
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低本底半导体探测器
金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ～ 450 mm2，抽空使用时能量分辨率（对 5. 5 MeV）好可达到 13～30 keV。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器，一般只能采用较大面积（如直径 2. 5 cm 左右），双路低本底生产厂家，而且总是在室温下不必抽空使用，因此其能量分辨本领半高全宽（FWHM）一般可能要大于 50 ～60 keV。
低本底测量仪的探测器
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探测器
1、主探测器闪烁体采用自研自产低本底αβ闪烁体，不怕污染，表面可擦洗，
2、反符合探测器闪烁体采用自研自产闪烁体，反符合效率大于99%，较大程度通过反符合电路降低本底
3、探测器采用紧凑型结构，体积小，性能好
4、探测器采用高频通信级别SMB同轴接口，高频通过性强，屏蔽效果好，更好保留原始信号信息
5、仪器效率较高，低本底生产厂家，本底低，串道比低，长期稳定性好，无需耗材
6、提供不同规格的探测器及样品盘供用户选择，适用不同的测试需求
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