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led大功率灯珠的LED芯片有哪些技术难题？尤其是大功率 LED 芯片，面临的主要技术难点主要是以下几个方面： 1、发光效率低 虽然各厂家量产的封装后的白光 LED 出光效率都达到 100lm/w 以上，但是相比较于小尺寸的 LED 芯片，其出光效率依然很低。大尺寸的 LED 芯片由于尺寸较大，当光线在器件内部传播时，光线通过的路程要比小尺寸的芯片经过的路程长，导致器件材料对光线的吸收概率较大，大量的光线被限制在器件内部无法出射，导致出光效率较低。 2、电流扩散不均匀 对于大功率 LED 芯片而言，需要大的电流驱动（一般为 350mA），为了得到均匀的电流扩散，需设计合理的电极结构以使得电流在 P 型层面得到均匀分布，大功率 LED 芯片由于芯片尺寸较大，同时 P 型层的电流很难在 P 型层面得到均匀扩散导致电流积聚在电极下方，造成电流拥挤效应。由于电流积聚效应，即电流主要集中在电极正下方区域，横向扩展比较小，电流分布很不均匀，导致局部电流密度过大。 3、光电特性不稳定 由于大功率 LED 芯片器件出光效率底下，大量光线被器件内部吸收，这些被吸收的光线在器件内部转换成热能，造成 LED 芯片结温的升高，结温的升高不但会造成光衰严，严重影响了 LED 芯片的寿命，同时温度的升高会导致芯片的蓝光波峰向长波长方向偏移（即红移），造成芯片的发光波长和荧光粉的激发波长不匹配，也会造成显色性的降低。 4、产业化研究光效远低于实验室研发水平 国际上主流的 LED 芯片厂商，虽然实验室研发已到达较高的水平，但是产业化的研究水平依然底下，led芯片报价，造成其主要的原因是产业化不但要考虑到成本的需求同时还要兼顾生产工艺的复杂程度以及芯片良率的问题。

大功率LED是指拥有大额定工作功率的发光二极管。由于目前大功率LED在光通量、转换效率和成本等方面的制约，led芯片厂家，因此决定了大功率白光LED短期内的应用主要是一些特殊领域的照明，中长期目标才是通用照明。led大功率灯珠的类型及封装技术？ 1、封装器件成品 成型大功率LED两种。而普通型大功率LED分为单色光与RGB全彩两种，集成型大功率LED一般均为单色，RGB全彩的。 2、照明应用成品 大功率LED有很多种，如大功率LED路灯、大功率LED射灯、大功率LED投光灯、大功率LED水底灯、大功率LED天花灯、大功率LED洗墙灯、大功率LED隧道灯……其中，大功率LED路灯和大功率LED洗墙灯应用的是为多的，led芯片批发，也是流行的。

那么LED贴片灯珠的LED芯片有哪些制作流程？ 先在衬底上制作氮化（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片常用的设备。 然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够乾净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。 蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕（在目检要挑除）。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相***、显影等，江门led芯片，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。芯片在前段工艺中，各项工艺如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都要使用镊子及花篮、载具等，因此会有芯片电极刮伤情形发生。