半导体设备在工艺过程中会产生反应热或其他介质辐射、传导的热量。为保证工艺稳定或安全考虑会选择对腔体进行一定的温度控
制。水因获得容易，成本低，对环境无污染，换热率高等优点。通常用作加热或冷却的流体介质。以往的腔体水路多采用铜管或钢管等通过导热胶与腔体粘接。由于存在管壁材料、粘接材料及空气夹层等多层介质间的热传导，换热效率较低。在加工能力提升的今天，逐渐更改为采用机加工或焊接等方式实现的流体介质直接与腔体接触的水路方案。但在换热效率提高的同时也带来了新的问题。
芯片线宽的缩小对刻蚀本身的准确度以及重复性有了更为严苛的要求。多次刻蚀要求每一个步骤的准确度足够高，才能使得整体生产的良率保持在可接受范围内，因此除了对于刻蚀整体步骤数有明显增加外，还对每一步的刻蚀质量有了更高的要求。端制程占比持续提升的大背景下，晶圆厂对于刻蚀本身的资本开支也在大幅提升，在整体制造工艺未发生较大变化的情况下，晶圆代工厂中刻蚀设备的占比将持续提升。
通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，硅片腐蚀台，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。
学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，扬州硅片，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，硅片酸洗机，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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