离子刻蚀设备在光刻胶涂层和光刻显影后，将光刻胶用作掩模，通过物理溅射和化学作用去除不需要的金属，从而得到与光刻胶图案相同的线条形状。目前，等离子刻蚀设备是主流的干法刻蚀方法，由于刻蚀速度快、定向性好，正在逐步取代湿法刻蚀。影响氮化硅侧壁刻蚀角度的参数：在半导体集成电路中，真空等离子刻蚀设备的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表面层的光刻胶，盐城晶圆，还可以刻蚀下层的氮化硅层。
湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，晶圆酸洗，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
工艺升级带动刻蚀机用量增长，技术壁垒极高制程升级带动刻蚀机使用提升从近年来各主要半导体设备资本开支量占比来看，刻蚀机份额占比有显著提升。在2010年之前，刻蚀机资本开支占比一直维持在15%左右，晶圆清洗设备，而进入2011年以后，随着制程的持续升级，刻蚀机资本开支占比也有显著提升。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如环保要求迫使他们改变封装型式。
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