美光披露了其DRAM未来技术路线图
2021年10月，美光宣布将在日本广岛现有工厂附近建设新工厂，总***约8000亿日元。日本当地媒体《日经产业新闻》报道称，新工厂将于2024年投产，主要生产广泛应用于数据中心的DRAM芯片，日本可能会以补贴的形式提供一些帮助。美光作为的DRAM厂商，目前已出货1 DRAM产品。在今年5月举行的***者日上，美光披露了其DRAM未来技术路线图。
根据的技术路线图，美光将继续在DRAM领域发展1、1和1工艺。美光计划在2022年底前推出1 DRAM产品，平台国外元器件供应商去哪里购买，将为图形、HBM3、汽车等领域提供良好的性能。美光希望通过1 DRAM产品不断提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。
被动元件大厂国巨Q2业绩估增4%，封城冲击5月缓解
国巨昨（26）日参加外资举办的线上法说会，国巨执行长王淡如表示，受大陆封城与通膨气焰高张影响，终端消费电子需求偏弱，目前处于低档调整，惟车用、工控等应用需求稳健，预期陆封城影响快5月缓解，国巨本季业绩将成长4%内，考量封城变数大，第3季还难以预测。
国巨是台湾、大被动元件多层陶瓷电容（MLCC）供应商，在钽电容与芯片电阻市占更居，产品广泛用于笔电、游戏机、手机、车用、通讯等领域，是电子业上游关键零组件供应商，其对市况看法，具有指标意义。
近期上海、苏州、昆山等地因防疫封城，外资关注对电子供应链与国巨的冲击。国巨表示，旗下苏州厂未受影响，维持正常运作，但昆山、上海静默封城，导致部分客户，物流交通也影响原物料供给及出货延迟，因此整体来说，还是会受到影响，不过目前看起来有开始改善迹象，预期5月状况有望缓解。
就当前电子业终端市况来看，平台国外元器件供应商生产，国巨坦言，消费性电子与去年同期相比还是偏弱，目前处于低档调整阶段，不过车用、工控等应用需求稳健。
第二代3nm工艺初步生产，已有客户订购产能
今日（6月30日），三星通过其公众号“三星半导体和显示”宣布，基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产，首先将应用于、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。
与三星5nm工艺相比，三星代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，平台国外元器件供应商报价，芯片面积减少16%；三星表示，未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。
至于3纳米客户方面，有媒体报道称，重庆平台国外元器件供应商，消息人士透露，三星称已经有客户订购产能，包括虚拟***挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体 (PanSemi)，以及移动处理器大厂高通 (Qualcomm) 等，不过高通将视情况进行投片。
从时间节点来看，三星3纳米技术量产时间确实台积电。
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