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刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化 学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地 掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，显影设备，将造成难以***的硅片报废，因此必须进行严格 的工艺流程控制。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，宜昌显影，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

湿法刻蚀机台，适用于半导体湿法刻蚀工艺，包括:支撑结构，显影腐蚀台，支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离，支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置，连接边缘的气体喷嘴的气体管路，以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置，显影腐蚀机，设置于支撑面的上方，喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管，喷嘴设置于朝向支撑面的一面，液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。

刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处 理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。