半导体封装形式介绍
3．3．5 封装晶片级封装CSP(Chip Scale Package)。几年之前以上所有的封装其封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来和以前封装的区别。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1．4或1．2的定为CSP。目前开发应用为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存件和逻辑器件。就目前来看CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百以上。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置，湿法腐蚀机，如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机等。
按照刻蚀工艺划分，其主要分为干法刻蚀以及湿法刻蚀。由于干法刻蚀可以实现各向异性刻蚀，符合现阶段半导体制造的高集成度的需求，因此在小尺寸的***工艺中，基本采用干法刻蚀工艺，导致干法刻蚀机在半导体刻蚀市场中占据相对主流地位。而按照被刻蚀材料划分，可以分为硅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀。目前由于下游的需求场景较多，介质刻蚀机与硅刻蚀机的市场占比较高，成为市场主流。
刻蚀是半导体制造三大步骤之一刻蚀已经成为半导体晶圆制造中的关键步骤，湿法腐蚀台，在半导体制造中重要性凸显。半导体制造主要步骤包括光刻、刻蚀、以及薄膜沉积三大步骤，沧州湿法，并且不断循环进行，以构造出复杂精细的电路结构。而这三个环节工艺的***程度也直接决定了晶圆厂生产高制程产品的能力，以及芯片的应用性能。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，湿法清洗设备，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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