在批次清洗工艺还是在单晶圆清洗工艺中，传统的浸没清洗仍起主导作用。在单晶圆清洗工艺时，这一趋势由于太阳电池清洗技术的需求而强化。该技术中，由于被加工衬底的剪切数目(shear number)，可选用批次加工方法。可以使选择气相清洗化学过程与批次加工兼容。但同时，单晶圆清洗方法（如旋转清洗）正推进到应用领域。
为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。
硅材料表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅材料加工和半导体工艺研究的一大热点。
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