CC2642R1TWFRTCRQ1ON/安森美-选同创芯

因库存上升，DRAM价格恐跌3~8%

据市调机构TrendForce新研报显示，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌冲突、高通胀导致消费性电子需求疲弱的影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3~8%的主因，且不排除部分产品类别如PC与智能手机领域恐出现超过8%的跌幅。

PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便PC需求不振，但供应商仍难以减少其PC DRAM供给量，造成供货位元数持续小幅季增，故预估PC DRAM价格将跌3~8%。

Server DRAM方面，现下客户端的库存7~8周略为偏高，而服务器领域目前又为原厂的重要销售市场，但客户端的位元需求量仍不足以完全消耗投片量增加与制程演进所带来的位元产出。加上消费类别的PC DRAM及mobile DRAM下半年需求不明朗，迫使原厂将产能移转至server DRAM，导致供应商必须透过部分销售策略如两季度的价格绑定、提高在手库存压抑价格跌幅，预测第三季serve DRAM将再下跌0~5%。

需求变弱，第3季DDR3与DDR4价格将季减3~8%

由于俄乌冲突、疫情以及高通胀等因素冲击消费性电子买气，其中属c***umer DRAM相关应用的笔电、电视出货面临下修，CC2642R1TWFRTCRQ1ON/安森美原厂代理商，加上DDR3因价格属于相对高点，买方在库存与成本压力之下，购买力道明显收敛，预估DDR3与DDR4需求将同步下滑，市场拉货动能持续走弱。而韩厂对于退出DDR3供给的计划不变，但下半年仍有陆厂及台厂新增产能开出。在需求走弱，供给增加的情形下，卖方的议价优势不再，难以支撑第三季c***umer DRAM价格，预测DDR3与DDR4价格将季减3~8%。

第二代3nm工艺初步生产，已有客户订购产能

今日（6月30日），三星通过其公众号“三星半导体和显示”宣布，基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT，CC2642R1TWFRTCRQ1ON/安森美，简称GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产，首先将应用于、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

与三星5nm工艺相比，三星代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；三星表示，CC2642R1TWFRTCRQ1ON/安森美供货稳定，未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

至于3纳米客户方面，有媒体报道称，消息人士透露，CC2642R1TWFRTCRQ1ON/安森美现货交易，三星称已经有客户订购产能，包括虚拟***挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体 (PanSemi)，以及移动处理器大厂高通 (Qualcomm) 等，不过高通将视情况进行投片。

从时间节点来看，三星3纳米技术量产时间确实台积电。