英飞凌代工厂：涨价，50%！
各地疫情，工厂，芯片流通遇阻，一切似乎都很紧张。不过更紧张的来了，苏州现货交易国外品牌原装芯片，部分芯片代工制造厂开启了产业链上游的涨价潮，这会是涨价潮吗？
据台媒报道，供应链传出，受惠于车用MOSFET等功率半导体需求强劲，加上6英寸芯片代工厂产能满载，汉磊作为芯片代工厂，现货交易国外品牌原装芯片采购，将针对大客户英飞凌调涨报价，幅度达50%，同时积极扩大第三代半导体碳化硅（SiC）的产能，预计今年出货量将呈倍数级成长。
而英飞凌长期与汉磊合作，现阶段相关业务占汉磊营收比重高达两成。报道称，汉磊对大客户大涨价，凸显整体市场需求强劲、“不得不涨”的态势。
巧合的是，一个月前，英飞凌向代理商们发布了一份通知，通知中声泪俱下，现货交易国外品牌原装芯片打样，感人肺腑，处处透露着即将涨价的意思。
美光即将在日本开设DRAM产品研究
近日，东京报道称，美国内存制造商美光将开始在日本生产***的DRAM产品。
报道称，美光执行副总裁马尼什巴蒂亚(Manish Bhatia)在接受专访时透露，计划在今年下半年利用日本广岛工厂生产1工艺的DRAM产品。
美光计划未来十年在***1500亿美元。关于日本广岛工厂的生产规模等细节，巴蒂亚表示，相关细节需要在未来预计获得日本资助时进行协商。
据悉，美光日本广岛工厂是2013年收购尔必达时收购的，之后积极***。目前，现货交易国外品牌原装芯片小批量订单，广岛工厂没有额外工厂的空间。
栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管
“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”
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