




公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
用电源IC立即驱动MOS管
一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定:
(1)开关管启用瞬间,驱动电路应能输出非常大的电流,使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值,确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。
(2)电源开关通断期内,驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持,且有效通导。
(3)关闭一瞬间驱动电路,能供应一个尽量低阻抗的通道,供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流,确保开关管能迅速关闭。
(4)驱动电路构造简易靠谱、耗损小。
(5)依据具体情况开展防护。
在控制模块电源中,常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中,应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大,电源IC內部的驱动能力又不够时,必须在驱动电路上提高驱动能力,常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。

公司成立于2013年7月,中低压mos公司,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
分辨MOS管优劣的原因:JFET的输入电阻超过100MΩ,而且跨导很高,当栅极引路时室内空间磁场非常容易在栅极上检测出工作电压数据信号,使管道趋向截至,或趋向通断。若将身体感应电压立即加在栅极上,因为键入电磁干扰较强,以上情况会更为显著。如表针向左边大幅偏转,就代表着管道趋向截至,漏-源极间电阻器***扩大,漏-源极间电流量减少IDS。相反,表针向右边大幅偏转,表明管道趋于通断,***↓,中低压mos生产厂家,IDS↑。但表针到底向哪一个方位偏转,应视感应电压的正负极(正方向工作电压或反方向工作电压)及管道的工作中点而定。
电子元器件都有电气参数,在选型时要给电子元器件留出足够的余量,才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。
三极管是一种流控型器件,MOS管是压控型器件,两者之间有相似之处,在选择时需要考虑耐压、电流等参数。
1、根据耐压选型
三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不得超过规定值,宁波中低压mos,否则三极管将永i久损坏。
在使用过程中,MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压,工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说,MOS管的耐压值远高于三极管。
2、过电流能力
三极管有ICM参数,即集电极的过电流能力,MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时,流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值,否则器件将会被烧坏。
考虑到工作稳定性,WP中低压mos,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作温度
商业级芯片:一般范围在0到+70℃;
工业级芯片:一般范围在-40到+85℃;
军i工级芯片:一般范围在-55℃到+150℃;
在进行MOS管选型时,要根据产品的使用场合选择合适的芯片。
4、根据开关频率选择
三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中,必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。
5、其他选型条件
例如,MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。

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