英特尔向欧盟提出近6亿欧元***索赔
根据路透社的报道，欧洲高去年做出了一项具有里程碑意义的裁决，为此类损害赔偿要求铺平了道路。该裁决要求欧盟执行机构为被撤销的反垄断案件中已缴纳的罚款***拖欠***。法官称，逾期******本身也会产生***。
英特尔公司与欧盟的这场斗争要回溯到13年前（2009年）。
2009年，欧盟会以英特尔通过向戴尔、惠普、联想等公司提供回扣，阻止他们向其竞争对手AMD购买芯片为由，对英特尔处以12亿美元的罚款。这笔罚款约占英特尔公司2008年376亿美元销售额的4%。
今年1月，英特尔赢得了针对欧盟12亿美元反垄断罚款的上诉，欧盟会向英特尔返还了12亿美元罚款。
英特尔表示，成都电源芯片价格生产厂家，其索赔依据的是欧洲央行从2009年5月开始实施的1.25%的再融资利率，从2009年8月到今年2月，这一利率应该被提高至3.5%。英特尔要求的***总额中已减去欧盟会已经***的3800万欧元***。
GaN功率元件市场规模至2025年将达8.5亿美元
电力电子行业封装材料的供应商贺利氏电子（Heraeus Electronics ），已加入美国电力研究所(PowerAmerica Institute），以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。
Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。此次合作将使下一代碳化硅和氮化电力电子产品更快向市场，供货稳定电源芯片价格生产厂家，降低与新一代技术相关的成本和风险因素。
11月，加拿大公司GaN Systems宣布与德国汽车大厂BMW已就确保氮化(GaN)晶体管产能达成协议，其产量预期能确保该车厂的供应链稳定。
该公司执行官Jim Witham在接受访问时表示，GaN Systems将会为多种应用提供一系列产能。
后，GaN技术本身也在不断取得突破。8月，Novel Crystal Technology， Inc宣布已成功将其高质量Ga2O3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着Ga2O3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。
在异常耀眼的手机快充之外，GaN也开始渗透进电动车、无线充电、5G基础设施等领域，而SiC等其他半导体材料也在朝这些领域扩展。所以，与其他第三代材料构成竞争或互补的关系，将是GaN未来几年的发展走向。
美光披露了其DRAM未来技术路线图
2021年10月，快速报价电源芯片价格生产厂家，美光宣布将在日本广岛现有工厂附近建设新工厂，总***约8000亿日元。日本当地媒体《日经产业新闻》报道称，新工厂将于2024年投产，保证交期电源芯片价格生产厂家，主要生产广泛应用于数据中心的DRAM芯片，日本可能会以补贴的形式提供一些帮助。美光作为的DRAM厂商，目前已出货1 DRAM产品。在今年5月举行的***者日上，美光披露了其DRAM未来技术路线图。
根据的技术路线图，美光将继续在DRAM领域发展1、1和1工艺。美光计划在2022年底前推出1 DRAM产品，将为图形、HBM3、汽车等领域提供良好的性能。美光希望通过1 DRAM产品不断提升公司在DDR5和LPDDR5的地位。
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