硅片的定义
硅片是制作晶体管和集成电路的原料。一般是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。
硅片的规格
硅片规格有多种分类方法，可以按照硅片直径、单晶生长方法、掺杂类型等参量和用途来划分种类。
户外测试平台设计方案
2.1 光伏组件户外性能测试要求
光伏组件输出特性主要受太阳辐照度及环境温度的影响。当光伏组件工作于户外特定环境时，需测量环境辐照度及组件温度。传统的IV特性曲线测量方法是使可编程电子负载工作于恒压或者恒流工作模式，以固定步长扫描，由于光伏组件IV 特性曲线具有类似半导体二极管的对数曲线形状，当光伏组件工作于恒流段或恒压段时，仅利用恒流或恒压工作模式的电子负载测量将造成曲线相应部分的测量点稀少。此外，为测试光伏组件户外性能，还需根据用户设定，保持被测光伏组件长期工作于开路、短路或大功率等工作状态，因此不可使用传统的现场电容充电或电子负载瞬时测量IV特性曲线的方法。
随着近年来国内光伏市场的扩大和分布式光伏发电系统的发展，电站设计人员对各类光伏组件产品性能也提出更高要求。目前，对于光伏组件的电气性能测试主要依赖实验室内的太阳光模拟器，检测其输出特性曲线，该方法便于控制辐照度及温度等环境参数。但光伏组件实际工作于户外复杂环境，其输出功率易受到灰尘、沙砾、雨雪等因素影响，回收采购采购电池片硅片价格，输出特性也可能因建筑、树荫等周期性阴影改变，因此光伏组件实际输出功率一般远低于实验室内理想环境下的输出功率。目前，国内外对光伏阵列的IV特性测量已提出了部分方法，主要是采用动态电容充电方法，现场的同步测量光伏阵列IV特性。该方法测量速度较快，对控制器的采样速率要求也较高。此外，也有基于可变电子负载的现场测量方法，它对光伏阵列IV特性曲线上大功率点附近测量点较多，但对短路和开路点附近测量点数量较少，当光伏阵列处于轻微失配或遮蔽等工况下，该方法难以实现对此现象的测量。针对如何更细致的反应光伏组件户外输出性能，提出了户外光伏组件测试平台，它使光伏组件长期工作于户外环境下，实时监测其输出特性，并积累测量数据，以评估组件长期工作于户外环境下的输出性能，使电站设计人员针对具体环境，选用更合理的光伏组件搭建光伏系统。也为组件生产商和科研实验工作提供了更好的保障与技术支持。
