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接着，重庆碳化硅脱氧剂，作为中间排渣，排出由脱硅处理生成的炉渣的至少一部分，继续向上述转炉型精炼容器内的铁水供给造渣剂和氧源，进行脱磷处理，碳化硅脱氧剂公司，该精炼方法的特征在于，在进行上述脱硅处理时，向上述转炉型精炼容器中添加含硅物质或含硅物质与碳材料的65碳化硅作为热源，在使脱硅处理结束时的炉渣碱度(质量％ CaO/质量％ SiO2)在0.5以上、1.5以下并使脱硅处理结束时的铁水温度在1280°C以上、1350°C以下的条件下进行脱硅处理，接着，通过上述中间排渣，碳化硅脱氧剂销售价，从转炉型精炼容器中排出由65碳化硅脱硅处理生成的炉渣的30质量％以上。

作为工业上批量生产碳化硅的技术，已知一种方法，将含硅(Si)的硅酸质原料(例如硅砂)和含碳的碳质原料(例如石油焦)作为原料，在艾奇逊炉中以1600°C以上的条件进行加热，由此通过直接还原反应来制造碳化硅。在以往以来所进行的这种利用艾奇逊炉的制造中，原料中杂质含有率高，难以进行杂质的控制，因此无法制造高纯碳化硅粉末。

因此，提出了对纯度低的碳化硅粉末进行高纯度化的方法。

杂质含有率为500ppm以下的高纯碳化硅粉末。该碳化硅粉末为硅酸质原料和碳质原料混合而成的碳化硅制造用原料，通过利用艾奇逊炉4的发热体2对碳质原料与硅酸质原料的混合摩尔比(C/SiO2)为2.5～4.0且杂质含有率为120ppm以下的碳化硅制造用原料进行加热，可以得到该高纯碳化硅粉末。以往以来，高纯碳化硅(SiC)被广泛用作抛光或磨削材、陶瓷烧结体和导电性材料等工业用材料。特别是，由于近来节能意识的提高、弃引起的期待活用自然再生能源等社会背景，需求高纯碳化硅粉末作为功率半导体等中使用的单晶材料。

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