湿制程设备-湿制程-晶淼半导体(查看)

干法清洗：

　　对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的***，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。

传统真空干燥工艺的缺陷在哪？

超级电容、电容以及锂离子电池行业的众多生产厂家基本采用了传统的真空干燥方法。

这里指的传统真空干燥方法，是指单一真空干燥功能、单一工序的、打开密封门即进入大气环境的真空干燥方式。

这样大家就比较容易找到传统的真空干燥方法的缺点：就是从一个工序转移到下一道工序时，湿制程设备，超级电容CELL在这个时间段又暴露在大气环境中，湿制程，从而导致水份、空气再次进入CELL。

水份、空气再次导入CELL，湿制程清洗设备，从而在制造过程中就使超级电容CELL先天不足，提高MODULES的各项性能和技术指标亦然成为伪命

      晶圆清洗是半导体制造典型工序中常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，湿制程腐蚀机，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是为成熟的。di一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。

清洗:

      从溶解的相似相溶规律出发，一般采用-乙醇清洗，或采用乙醇yi醚混液和异bing醇代替乙醇。采用乙醇-yi醚是因为这种混合液的挥发性强，采用异bing醇是因为异bing醇的脱脂能力强。为降低这些本身在MCP表面的残留，在每次使用后都要用超纯水进行漂洗。在不***MCP表面特征的情况下可结合搅拌、鼓泡、溢流、喷淋、超声、蒸汽脱脂等方法一起使用。