




公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
做电源电路,或是做推动领域的电源电路,免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型,WP3080mos,也是有许多***。做开关电源或是推动的应用,3080mos万芯半导体,自然便是用它的开关***。
不管N型或是P型MOS管,其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用,因而在开关运用中,MOS管的开关速率应当比三极管快。

MOS管FET栅源保护:
1)避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic,其输出阻抗较低,直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连,有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动,或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生,一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器,电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2)避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高,漏极与源极间的工作电压***突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压,此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透,与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透,因此,要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下,保护 MOS 管不被穿透。
3)安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大,但假如漏源极不用保护电路,一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的***突变而造成漏极顶i峰工作电压,从而毁坏 MOS 管,功率管电源开关速率越快,3080mos公司,造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏,永康3080mos,一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。

公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降i压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员关心的是MOS的传导损耗。
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